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数量:1000 |
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文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 120 @ 400mA, 10V |
功率 - 最大 | 25W |
频率转换 | 5MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 150 V |
集电极最大直流电流 | 2 A |
最小直流电流增益 | 120@400mA@10V |
最大工作频率 | 5(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@50mA@500mA V |
最大集电极基极电压 | 200 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 25000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 200 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 150 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 150 V |
增益带宽产品fT | 5 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220 |
连续集电极电流 | 2 A |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Tube |
工厂包装数量 | 50 |
零件号别名 | KSD401YTU_NL |
寿命 | Obsolete |
集电极最大直流电流 | 2 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 25000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 5(Typ) |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 200 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 150 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 5MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 50mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 25W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 400mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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